1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 网站仔细阅读年度报告全文。

　　公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。

　　3、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　5、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

　　公司2025年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下：

　　公司拟向全体股东每10股派发现金红利4.30元（含税），截至2025年12月31日，公司总股本117,600,000股，以此计算合计拟派发现金红利50,568,000.00元 (含税)。本年度公司现金分红总额占2025年度归属于上市公司股东净利润的47.64%。

　　如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。上述事项已获公司第三届董事会第二次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。

　　公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率IC两大类，公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。

　　公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaNHEMT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、碳化硅（SiC）等。其中，公司的TVS产品主要为ESD保护器件。各产品介绍如下：

　　具有静电防护、浪涌吸收等防 过电压功能，对电源线、信号 线、输入输出端口等进行保护。

　　吸收瞬间大电流,将两端电压 箝制在一个预定的数值上，从 而对后面的电路进行保护。

　　GaN功率器件可以实现更小的 导通电阻和栅极电荷。因此 GaN功率器件作为开关和驱动 应用时，特别适合于高频应用 场合，对提升变换器的效率和 功率密度非常有利。

　　IGBT通过加正向栅极电压形成 沟道而导通，由于存在电导调 制效应使IGBT在高电压下具有 较低的导通损耗。IGBT主要作 用是进行交流电和直流电的转 换、电压高低的转换，能够根 据信号指令来调节电路中的电 压、电流、频率、相位等，实 现精准调控。

　　轨道交通、智 能电网、新能 源发电、新能 源汽车、航空 航天、船舶驱 动、交流变频、 电机传动等产 业领域

　　SiC功率器件作为开关器件，具 有耐高温、耐高压等特点，使 得器件应用具有较低的导通、 开关、恢复损耗，并且特别适 合一些小型化、散热要求高的 器件应用场景。

　　新能源汽车 OBC领域、充 电桩领域、光 伏、储能等大 功率逆变器领 域

　　公司的功率IC产品主要为电源管理IC,具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动IC等。各产品介绍如下表所示：

　　公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下，公司专注于功率半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，由外协厂商负责生产。

　　公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

　　公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

　　根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。

　　公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

　　2025年度，全球半导体市场呈现增长态势，美国半导体行业协会（SIA）宣布，2025年11月全球半导体销售额753亿美元，环比增长3.5%，同比增长29.8%。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预计2025年全球半导体营收将同比增长22.5%至7,720亿美元，2026年将进一步增长26.3%，达到9,750亿美元。

　　面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一系列管制措施，实现中国集成电路产业的自主可控的目标变得尤为迫切。在这种复杂的外部环境下，国产替代进口的需求空间巨大。近年来，我国在半导体功率器件领域加大了研发投入，积极推动技术创新，通过自主研发和引进先进技术，我国在 MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上取得了重要突破，与国际先进水平的差距在不断缩小。

　　据美国半导体行业协会（SIA）数据，2025年11月，中国大陆销售额环比增长3.9%，同比增长22.9%；预计全年销售额将突破1,800亿美元，占全球市场份额约27.8%。

　　目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC，功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、肖特基等；功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。

　　公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。

　　公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。公司的功率器件及功率IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（TI）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半导体（SemtechCorporation）等国外半导体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能及人工智能等领域拓展，公司产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。

　　(3).报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势（1）半导体市场发展趋势

　　根据Yole预测，全球半导体市场在2023年短期调整后，2024年迅速反弹至6,720亿美元，同比增长27%，2025年将进一步增长至7,770亿美元，2030年有望突破9,980亿美元，期间年复合增长率达6.8%。全球半导体行业在经历短期波动后重回增长通道，产业链正迎来由生成式人工智能、电动汽车、数据中心等新兴应用驱动的新一轮扩张周期。技术快速迭代与全球性区域竞争相互交织，共同构成了当前行业高度活跃的发展格局。

　　由于中美科技摩擦不断，美对华技术封锁措施持续出台，加之全球多区域加强本土半导体产业的扶持，半导体产业呈现明显的逆全球化趋势。我国从中央到地区纷纷出台了多项支持半导体产业发展的政策，各地政府也加强建设集成电路等产业集群，通过实施一系列政策措施，加强半导体产业链的建设和完善，推动国产替代和自主可控的发展。在国家政策与市场需求的双重驱动下，国产替代进程加速进行，本土厂商持续加大研发投入，不断取得技术突破。

　　复杂的外部环境因素迫使集成电路产业实现自主可控要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。国内终端厂商逐步将供应链转移至国内，有助于真正发挥上下游联动发展的协同作用，半导体产业的国产替代持续加速进行，为中国本土企业提供更多的发展机遇和市场空间。

　　当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网、快充电源、无线充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。

　　展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十五五”规划（2026-2030年）将半导体/芯片产业置于战略核心，以全链条自主可控、关键技术突破与生态协同为核心，目标是2030年实现成熟制程自主可控、先进制程技术突破、高端芯片自给率显著提升。

　　智能手机方面，国际数据公司（IDC）预计，2026年中国智能手机市场出货量约2.78亿台，同比下降2.2%。然而，2026年中国新一代AI手机出货量将达1.47亿台，同比增长31.6%，占整体市场53%。

　　智能眼镜方面，在AI的赋能下，智能眼镜市场正从通用型产品向场景化解决方案转变，有望成为手机、汽车、智能家居等终端的关键信息输入端口。IDC预计，2026年智能眼镜市场将迎来规模化拐点，全球智能眼镜市场出货量预计将突破2,368.7万台，其中中国智能眼镜市场出货量将突破491.5万台。

　　公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率更高、更智能化的全系列充电芯片、保护芯片等产品。公司针对移动终端小型化的场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、低损耗、低漏电的特点，不但助力客户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全使用保驾护航。

　　受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机会，功率器件作为核心零部件也将随之迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从二极管、晶闸管发展到MOSFET、IGBT，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门槛不断提高。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流、高频率、高功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产厂商有望实现新突破。全球功率半导体尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大。

　　4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10

　　1、公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

　　报告期内，公司实现营业收入39,360.75万元，较上年同期增长11.52%；实现利润总额11,448.24万元，较上年同期减少4.98%；归属于上市公司股东的净利润10,615.29万元，较上年同期减少4.91%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润6,888.64万元，较上年同期增长17.54%。

　　2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。